«Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 3, Вересень 2026, с. 516-25, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-47.