«Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 3, Вересень 2026, с. 596-07, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-55.