«Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 3, Вересень 2026, с. 286-91, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-23.