«Виготовлення та електричні транспортні властивості трьохбар’єрних структур GaAs типу M–p–n–M». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 2, Червень 2026, с. 373-8, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-2-40.