«Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 2, Червень 2026, с. 251-9, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-2-27.