«Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 4, Грудень 2025, с. 442-8, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-4-44.