«Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 1, Березень 2025, с. 141-50, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-13.