«Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 1, Березень 2024, с. 322-6, https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29.