«Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 516–525, Вер 2026, doi: 10.26565/2312-4334-2026-3-47.