«Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 596–607, Вер 2026, doi: 10.26565/2312-4334-2026-3-55.