«Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 286–291, Вер 2026, doi: 10.26565/2312-4334-2026-3-23.