«Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D», East Eur. J. Phys., вип. 2, с. 251–259, Чер 2026, doi: 10.26565/2312-4334-2026-2-27.