«Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості», East Eur. J. Phys., вип. 4, с. 442–448, Груд 2025, doi: 10.26565/2312-4334-2025-4-44.