[1]
«Резистивна перемикальна поведінка тонкоплівкового гетеропереходу SnO₂/ZnO для застосувань в енергонезалежній пам’яті», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 348–352, Вер 2025, doi: 10.26565/2312-4334-2025-3-34.