«Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 141–150, Бер 2025, doi: 10.26565/2312-4334-2025-1-13.