[1]
«Моделювання та теоретичне дослідження p-n гетеропереходів на основі CdTe/Si: вирівнювання зони, транспорт носіїв та електрофізичні властивості, залежні від температури», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 211–216, Бер 2025, doi: 10.26565/2312-4334-2025-1-22.