«Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 294–307, Бер 2024, doi: 10.26565/2312-4334-2024-1-26.