«Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 322–326, Бер 2024, doi: 10.26565/2312-4334-2024-1-29.