[1]
«Аналіз рентгеновської дифракції та раманівська спектроскопія поверхні Si, збагаченої GaSb, сформованої шляхом застосування методу дифузійного легування», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 363–369, Вер 2023, doi: 10.26565/2312-4334-2023-3-38.