«Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS» (2026) Східно-європейський фізичний журнал, (3), с. 286–291. doi:10.26565/2312-4334-2026-3-23.