«Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D» (2026) Східно-європейський фізичний журнал, (2), с. 251–259. doi:10.26565/2312-4334-2026-2-27.