«Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості» (2025) Східно-європейський фізичний журнал, (4), с. 442–448. doi:10.26565/2312-4334-2025-4-44.