«Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід» (2025) Східно-європейський фізичний журнал, (1), с. 141–150. doi:10.26565/2312-4334-2025-1-13.