«Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей» (2024) Східно-європейський фізичний журнал, (1), с. 322–326. doi:10.26565/2312-4334-2024-1-29.