«Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS». 2026. Східно-європейський фізичний журнал, вип. 3 (Вересень): 286-91. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-23.