«Виготовлення та електричні транспортні властивості трьохбар’єрних структур GaAs типу M–p–n–M». 2026. Східно-європейський фізичний журнал, вип. 2 (Червень): 373-78. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-2-40.