«Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей». 2024. Східно-європейський фізичний журнал, вип. 1 (Березень): 322-26. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29.