Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K. Східно-європейський фізичний журнал, n. 3, p. 596–607, 7 Вер2026.