Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D. Східно-європейський фізичний журнал, n. 2, p. 251–259, 10 Чер2026.