Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. Східно-європейський фізичний журнал, n. 1, p. 294–307, 5 Бер2024.