Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації. (2026). Східно-європейський фізичний журнал, 3, 516-525. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-47