Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості. (2025). Східно-європейський фізичний журнал, 4, 442-448. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-4-44