Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід. (2025). Східно-європейський фізичний журнал, 1, 141-150. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-13