Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. (2024). Східно-європейський фізичний журнал, 1, 294-307. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-26