Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей. (2024). Східно-європейський фізичний журнал, 1, 322-326. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29