Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D. East Eur. J. Phys. 2026;(2):251-259. doi:10.26565/2312-4334-2026-2-27