Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості. East Eur. J. Phys. 2025;(4):442-448. doi:10.26565/2312-4334-2025-4-44