Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. East Eur. J. Phys. 2024;(1):294-307. doi:10.26565/2312-4334-2024-1-26