1.
Аналіз рентгеновської дифракції та раманівська спектроскопія поверхні Si, збагаченої GaSb, сформованої шляхом застосування методу дифузійного легування. East Eur. J. Phys. 2023;(3):363-369. doi:10.26565/2312-4334-2023-3-38