Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K. East Eur. J. Phys. 2026, вип. 3, 596-607. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-55.