Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS. East Eur. J. Phys. 2026, вип. 3, 286-291. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-23.