Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід. East Eur. J. Phys. 2025, вип. 1, 141-150. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-13.