Аналіз рентгеновської дифракції та раманівська спектроскопія поверхні Si, збагаченої GaSb, сформованої шляхом застосування методу дифузійного легування. East Eur. J. Phys. 2023, вип. 3, 363-369. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-38.