2026. Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації. Східно-європейський фізичний журнал. 3 (Вер 2026), 516–525. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-47.