[1]
2026. Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K. Східно-європейський фізичний журнал. 3 (Вер 2026), 596–607. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-55.