2026. Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS. Східно-європейський фізичний журнал. 3 (Вер 2026), 286–291. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-3-23.