2026. Виготовлення та електричні транспортні властивості трьохбар’єрних структур GaAs типу M–p–n–M. Східно-європейський фізичний журнал. 2 (Чер 2026), 373–378. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-2-40.