2026. Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D. Східно-європейський фізичний журнал. 2 (Чер 2026), 251–259. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-2-27.