2025. Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості. Східно-європейський фізичний журнал. 4 (Груд 2025), 442–448. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-4-44.