[1]
2025. Роль типів рекомбінації у межах ефективності радіальних p-n переходів на основі Si та GaAs. Східно-європейський фізичний журнал. 2 (Чер 2025), 252–257. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-2-30.